Samsung Galaxy S11 saattaa olla merkittävästi tehokkaampi

(Image credit: Future)

Samsung Galaxy S11 saattaa olla ensimmäinen älypuhelin, joka hyötyy eteläkorealaisvalmistajan hiljattaisesta julkistuksesta; huippunopeasta puhelimille tarkoitetusta 12 gigan LPDDR5 Mobile DRAM -muistista.

Pitkän kirjainhirviön takana on yksinkertaistettuna parempi suorituskyky seuraavan sukupolven älypuhelimille.

Samsung väittääkin, että uusi muisti on "1,3 kertaa nopeampi kuin nykyisissä huippumalleissa oleva muisti (LPDDR4X)."

Uusi DRAM yhdistetään 12 gigan RAM-muisteihin, jotka pystyvät ilmeisesti siirtämään dataa 44 gigaa, tai noin 12 full-HD-tason elokuvaa, sekunnissa.

Suunniteltu 5G:tä ja tekoälyä varten

Samsung korostaa samalla, että uusi RAM-muisti on optimoitu 5G:tä ja tekoälykäyttöä varten, joten yhtiön tulevat puhelimet ovat vähemmän yllättäen 5G-pohjaisia.

Julkistus vahvistaa samalla, että yhtiö aikoo jatkossakin tarjota 12 gigan RAM-muistilla varustettuja puhelimia. Vastaavat lukemat on nähty jo Samsung Galaxy S10 Plussassa, ja odotamme näkevämme sen myös tulevassa Galaxy Note 10:ssä.

Note 10 saatetaan tosin julkaista liian pian, jotta siinä nähtäisiin uusinta RAM-teknologiaa, sillä uuden muistin massatuotanto aloitetaan vasta heinäkuun lopussa. Note 10 julkaistaan puolestaan 7. elokuuta, minkä vuoksi uusinta RAM-muistia hyödynnetään todennäköisesti ensimmäisen kerran vasta Galaxy S11:ssä vuonna 2020.