Samsung si appresta a presentare dei nuovi moduli di memoria all'avanguardia in occasione dell'imminente IEEE International Solid-State Circuit Conference 2024.
Oltre alla memoria GDDR7 annunciata in precedenza, che farà la sua comparsa nella sessione dedicata alle memorie e alle interfacce ad alta densità, il gigante tecnologico sudcoreano presenterà anche un chip di memoria DDR5 superveloce.
La DRAM DDR5 ad alta capacità da 32 GB è stata sviluppata utilizzando la tecnologia produttiva a 12 nanometri (nm) per offrire una capacità doppia rispetto alla DRAM DDR5 da 16 GB a parità di dimensioni.
Consumo energetico ridotto
Sebbene Samsung non abbia fornito troppe informazioni sul chip DDR5 che svelerà alla conferenza, sappiamo che la velocità di I/O di DDR5 è fino a 8000 Mbps per pin ed è stata creata con un'architettura simmetrica a mosaico utilizzando il nodo di quinta generazione da 10nm di Samsung, appositamente studiato per i prodotti DRAM.
Quando il nuovo prodotto DDR5 è stato annunciato per la prima volta alla fine del 2023, SangJoon Hwang, Executive Vice President of DRAM Product & Technology di Samsung Electronics, ha dichiarato: "Con la nostra DRAM da 32 Gb di classe 12 nm, ci siamo assicurati una soluzione che consentirà di realizzare moduli DRAM fino a 1 terabyte (TB), permettendoci di essere in una posizione ideale per soddisfare la crescente esigenza di DRAM ad alta capacità nell'era dell'intelligenza artificiale (AI) e dei big data. Continueremo a sviluppare soluzioni DRAM attraverso tecnologie di processo e di progettazione differenziate per superare i confini della tecnologia della memoria".
I precedenti moduli DRAM DDR5 da 128GB, prodotti con DRAM da 16GB, richiedevano il processo TSV (Through Silicon Via). Tuttavia, la nuova DRAM da 32 Gb consente di produrre un modulo da 128 GB senza il processo TSV, riducendo il consumo energetico di circa il 10%, secondo Samsung. Si tratta quindi di una soluzione apprezzabile per i data center che attualmente stanno lottando con le crescenti richieste energetiche dell'AI.
L'ultima tecnologia DDR5 di Samsung consente di creare DIMM da 32 GB e 48 GB a velocità DDR5-8000 in configurazioni single-rank, oltre a supportare DIMM da 64 GB e 96 GB in configurazioni dual-rank.
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